电子薄膜与集成器件国家重点实验室2019年开放课题指南

浏览
662
回复
0
收藏
0

1#

2019-3-28 10:50:24
电子薄膜与集成器件国家重点实验室的研究方向为:磁电薄膜与微型器件、电子聚合物与微结构传感器、功率半导体器件及集成技术。实验室提倡创新、求实、开放交流的学术风气。实验室设有面向国内从事基础理论和应用基础研究的大学及研究所等单位的开放课题基金。
2019年实验室开放课题基金将资助意义重大、学术思想新颖,属于本学科发展前沿或优先发展领域,与本实验室研究方向有关的基础性或应用性研究。
一、优先资助领域
1. 介电薄膜与集成介电器件
2. 纳米软磁薄膜与微磁器件
3. 新型半导体材料与器件
4. 隐身材料与技术
5. 有机聚合物与敏感器件
6. 微结构传感器与阵列技术
7. 新耐压层与全兼容功率器件
8. SOI功率器件与集成技术
9. 集成器件设计与加工新技术、新方法
10.微系统用关键薄膜材料与器件技术(热管理、微能源、基板、多物理场)
二、申报条件
    凡具有讲师以上职称的研究人员或相应水平的研究人员均可申请本实验室开放基金。除结题获优秀评价的项目外,原则上申请者在3年内不得再次申请。
三、申请程序及说明
1.申请者可登录实验室网站http://www.etfid.uestc.edu.cn,下 载《开放基金申请书》并按规定的格式,认真、如实填写,申请人所在单位学术主管部门应签署意见,单位领导在申请书上签字并加盖单位公章。2019年实验室开放课题截止日期为 2019年6月30日。
2.所有申请均须报送电子申请书和纸质申请书原件(A4纸单面,一式两份),电子申请书和纸质申请书的内容必须一致。难以电子化的附件材料随纸质申请书一并报送。
3.实验室进行格式审查后交学术委员会评审,择优资助。
4.项目研究周期一般为2年。
5.项目的研究工作一般采取与本实验室合作研究的方式进行。研究经费中应有不少于50%的费用为申请者在本实验室内的实验费,其费用凭证须经本实验室分管领导签字后在本校财务处核实报销;不超过50%的费用为申请者在本实验室以外进行研究所发生的经费。
6.项目承担者在本实验室的工作期限以批准的期限为准。实验室为承担者提供必要的工作条件,并在生活上尽力提供方便。承担者的工资、奖金由原单位支付。
7.开放课题的研究成果归实验室和申请者所在单位共有。由实验室资助的课题所发表的论文、论著、研究报告、资料、鉴定证书以及申报成果时,申请人作者单位均须中文标注"电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054"字样,英文须标注“State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of  Electronic Science and Technology of China,Chengdu,610054 ”。同时,项目资助部分均须标注“电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助”(英文Supported by the Opening Project of State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices)字样和项目编号。
8.所有获资助的项目在研究期限结束时,均需提交项目总结报告和已发表的与项目相关的论文等研究成果复印件,此后发表的与本项目相关的研究成果复印件也应陆续寄实验室存档。
9. 确需延期完成的项目应提前二个月书面申述理由并获本实验室主任同意。

电子薄膜与集成器件国家重点实验室
                  2019年1月1日

回复

已有 0 条回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册
高级模式

关于作者
金牌会员
帖子
525
日志
0
精华
0